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Temps de lecture : 3 minutes

4 septembre 2026

Alors que l’explosion de l’intelligence artificielle générative accentue la pression énergétique sur les centres de données mondiaux, l’Université Polytechnique de Hong Kong (PolyU) annonce la conception d’un nouveau transistor capable d’améliorer considérablement l’efficacité des microchips !

Aujourd’hui, les puces IA les plus avancées sont confrontées à un « mur thermique », avec des enveloppes énergétiques approchant les 1 000 watts par unité, et imposant des systèmes de refroidissement conséquents. La cause est physique : les transistors traditionnels en silicium (MOSFET) fonctionnent par émission thermique. Pour s’activer, les électrons doivent franchir une barrière d’énergie qui impose une tension minimale incompressible d’environ 800 millivolts, une limite connue des experts sous le nom de « tyrannie de Boltzmann ».

Pour contourner cet obstacle, l’équipe menée par le professeur Jianhua Hao a développé un transistor à effet tunnel (TFET). En superposant des nanomatériaux bidimensionnels (en 2D), du bismuth et du séléniure d’indium, les chercheurs permettent aux électrons de traverser directement la barrière énergétique par « effet tunnel quantique ».

Cette innovation pourrait avoir plusieurs débouchés. À court terme, elle pourrait décupler l’autonomie de nos appareils électroniques grand public et des objets connectés. Une fois l’architecture optimisée pour la haute performance, cette technologie pourrait également fournir aux supercalculateurs l’efficacité énergétique requise pour faire tourner les futures générations d’IA prédictives, le tout sans risquer la saturation des réseaux électriques.

Des performances énergétiques sans précédent

Le prototype obtenu en laboratoire affiche ainsi des performances inédites : il s’active avec une tension de seulement 160 millivolts, soit une baisse de 80 % du besoin électrique par rapport aux standards actuels. Surtout, le composant résout le principal défaut des précédents TFET expérimentaux, conçus par d’autres équipes, en fournissant un courant de sortie élevé, indispensable pour piloter des circuits complexes sans perte de vitesse !

Cela ne signifie pas que la puce entière va consommer 80 % de moins, car elle ne contient pas que des transistors : elle intègre également de la mémoire, des lignes de communication et des convertisseurs de puissance qui continueront à consommer de l’énergie. Par ailleurs, les ingénieurs voudront sans doute réinvestir une partie du gain obtenu pour augmenter la fréquence de calcul ou pour intégrer beaucoup plus de cœurs sur la même puce !

Quoi qu’il en soit, fabriqué avec des procédés connus de l’industrie (comme le dépôt par laser pulsé), ce composant pose les bases de futures puces IA bien plus efficaces, même si le passage à une production de masse demandera quelques années de développement.

Infographie expliquant le fonctionnement d'un nouveau transistor 2D réduisant par cinq la consommation énergétique des data centers de l'IA.
Un nouveau transistor 2D permet de réduire de 80 % la tension électrique requise pour faire tourner l’IA.